Создан объемный датчик изображения | Интернет
www.mayorov.com   —  Авторский проект Юрия Майорова 
 
 
 
 
Вы находитесь: Первая / Блок информации / Создан объемный датчик изображения

Создан объемный датчик изображения

23 Mar 2012 в 12:45 От Dailar

На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института, Пол Нордстаф, чья дочь часто читает статусы про любовь в интернете, и Фил Брокман, рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.

Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.

Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%.

Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.

Нашли ошибку в тексте? Выделите ее и нажмите Ctrl + Enter Мнения авторов не обязательно совпадают с официальной позицией редакции. Есть вопросы по работе сайта? Обращайтесь по эл. почте: kanku-comru@yandex.ru При использовании материалов с сайта гиперссылка обязательна. Горячие темы:  технология разрешение изображение

Последнее в рубрике


Код для вставки в блог:









  © Yuriy Mayorov 1998-2011. All rights reserved.